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SQJ740EP-T1_GE3
Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJ740EP-T1_GE3
Bestellnummer4154250
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,230 € |
| 10+ | 1,520 € |
| 100+ | 1,110 € |
| 500+ | 0,822 € |
| 1000+ | 0,756 € |
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Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJ740EP-T1_GE3
Bestellnummer4154250
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id123A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0034ohm
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Bauform - TransistorPowerPAK SO-8L
Verlustleistung93W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
123A
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Verlustleistung
93W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Bauform - Transistor
PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung