Zweifache MOSFET
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Menge | Kanaltyp | Wandlerpolarität | Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal | Dauer-Drainstrom Id | Drain-Source-Spannung Vds | Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal | Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal | Betriebswiderstand, Rds(on) | Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal | Rds(on)-Prüfspannung | Transistormontage | Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal | Gate-Source-Schwellenspannung, max. | Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal | Bauform - Transistor | Verlustleistung Pd | Anzahl der Pins | Verlustleistung, n-Kanal | Betriebstemperatur, max. | Verlustleistung, p-Kanal | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC6321C
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9844848 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 460 mA, 460 mA, 0.33 ohm ONSEMI
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Komplementärer n- und p-Kanal | Komplementärer n- und p-Kanal | 25V | 460mA | 25V | 25V | 460mA | 0.33ohm | 460mA | 4.5V | Oberflächenmontage | 0.33ohm | 800mV | 0.33ohm | SuperSOT | 900mW | 6Pin(s) | 900mW | 150°C | 900mW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NX3008CBKS,115
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2069539 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm NEXPERIA
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Komplementärer n- und p-Kanal | Komplementärer n- und p-Kanal | 30V | 350mA | 30V | 30V | 350mA | 1ohm | 350mA | 4.5V | Oberflächenmontage | 1ohm | 900mV | 1ohm | SOT-363 | 280mW | 6Pin(s) | 280mW | 150°C | 280mW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS138PS,115
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1972664 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm NEXPERIA
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n-Kanal | n-Kanal | 60V | 320mA | 60V | - | 320mA | 0.9ohm | - | 10V | Oberflächenmontage | 0.9ohm | 1.2V | - | SOT-363 | 420mW | 6Pin(s) | 420mW | 150°C | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SI1539CDL-T1-GE3
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2056712 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm VISHAY
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Komplementärer n- und p-Kanal | Komplementärer n- und p-Kanal | 30V | 700mA | 30V | 30V | 700mA | 0.323ohm | 700mA | 10V | Oberflächenmontage | 0.323ohm | 1.2V | 0.323ohm | SOT-363 | 340mW | 6Pin(s) | 340mW | 150°C | 340mW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTJD4001NT1G
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1704019 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm ONSEMI
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n-Kanal | n-Kanal | 30V | 250mA | 30V | - | 250mA | 1ohm | - | 4V | Oberflächenmontage | 1ohm | 1.2V | - | SOT-363 | 272mW | 6Pin(s) | 272mW | 150°C | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NX3008NBKS,115
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2069542 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm NEXPERIA
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n-Kanal | n-Kanal | 30V | 350mA | 30V | 30V | 350mA | 1ohm | 350mA | 4.5V | Oberflächenmontage | 1ohm | 900mV | 1ohm | SOT-363 | 445mW | 6Pin(s) | 445mW | 150°C | 445mW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963BDY-T1-E3
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2335325 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.025 ohm VISHAY
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p-Kanal | p-Kanal | 20V | 4.9A | 20V | 20V | 4.9A | 0.025ohm | 4.9A | 2.5V | Oberflächenmontage | 0.025ohm | 1.4V | 0.025ohm | SOIC | 1.1W | 8Pin(s) | 1.1W | 150°C | 1.1W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4946BEY-T1-E3
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1497619 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm VISHAY
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n-Kanal | n-Kanal | 60V | 6.5A | 60V | - | 6.5A | 0.033ohm | - | 20V | Oberflächenmontage | 0.033ohm | 2.4V | - | SOIC | 2.4W | 8Pin(s) | 2.4W | 175°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS8402DW-7-F
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1713834 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 13.5 ohm DIODES INC.
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Komplementärer n- und p-Kanal | Komplementärer n- und p-Kanal | 60V | 115mA | 60V | 60V | 115mA | 13.5ohm | 115mA | 10V | Oberflächenmontage | 13.5ohm | 2.5V | 13.5ohm | SOT-363 | 200mW | 6Pin(s) | 200mW | 150°C | 200mW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMC3A17DN8TA
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1471154 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm DIODES INC.
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Komplementärer n- und p-Kanal | Komplementärer n- und p-Kanal | 30V | 4.4A | 30V | 30V | 4.4A | 0.07ohm | 4.4A | 10V | Oberflächenmontage | 0.07ohm | 1V | 0.07ohm | SOIC | 2.1W | 8Pin(s) | 2.1W | 150°C | 2.1W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDG8850NZ
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1498956 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm ONSEMI
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5+ 0,555 € 0,66 € 10+ 0,481 € 0,57 € 100+ 0,359 € 0,43 € 500+ 0,283 € 0,34 € |
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n-Kanal | n-Kanal | 30V | 750mA | 30V | - | 750mA | 0.25ohm | - | 4.5V | Oberflächenmontage | 0.25ohm | 1V | - | SC-70 | 360mW | 6Pin(s) | 360mW | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA931DJ-T1-GE3
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2400374 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm VISHAY
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p-Kanal | p-Kanal | 30V | 4.5A | 30V | 30V | 4.5A | 0.052ohm | 4.5A | 10V | Oberflächenmontage | 0.052ohm | - | 0.052ohm | PowerPAK SC-70 | 7.8W | 6Pin(s) | 7.8W | 150°C | 7.8W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI9945BDY-T1-GE3
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1794822 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm VISHAY
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5+ 0,825 € 0,98 € 50+ 0,728 € 0,87 € 100+ 0,63 € 0,75 € 500+ 0,561 € 0,67 € 1000+ 0,463 € 0,55 € |
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n-Kanal | n-Kanal | 60V | 5.3A | 60V | - | 5.3A | 0.046ohm | - | 10V | Oberflächenmontage | 0.046ohm | 2.5V | - | SOIC | 3.1W | 8Pin(s) | 3.1W | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI1967DH-T1-GE3
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2335282 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.64 ohm VISHAY
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5+ 0,472 € 0,56 € 10+ 0,383 € 0,46 € 100+ 0,254 € 0,30 € 500+ 0,21 € 0,25 € 1000+ 0,198 € 0,24 € 5000+ 0,194 € 0,23 € Weitere Preise … |
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p-Kanal | p-Kanal | 20V | 1.3A | 20V | 20V | 1.3A | 0.64ohm | 1.3A | 1.8V | Oberflächenmontage | 0.64ohm | 400mV | 0.64ohm | SOT-363 | 1.25W | 6Pin(s) | 1.25W | 150°C | 1.25W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS138DW-7-F
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1713832 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm DIODES INC.
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5+ 0,527 € 0,63 € 10+ 0,418 € 0,50 € 100+ 0,254 € 0,30 € 500+ 0,191 € 0,23 € 1000+ 0,143 € 0,17 € 5000+ 0,14 € 0,17 € Weitere Preise … |
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n-Kanal | n-Kanal | 50V | 200mA | 50V | - | 200mA | 3.5ohm | - | 10V | Oberflächenmontage | 3.5ohm | 1.2V | - | SOT-363 | 200mW | 6Pin(s) | 200mW | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7343TRPBF
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2097999 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm INFINEON
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1+ 1,44 € 1,71 € 10+ 1,19 € 1,42 € 100+ 0,883 € 1,05 € 500+ 0,729 € 0,87 € 1000+ 0,56 € 0,67 € 5000+ 0,549 € 0,65 € Weitere Preise … |
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Komplementärer n- und p-Kanal | Komplementärer n- und p-Kanal | 55V | 4.7A | 55V | 55V | 4.7A | 0.043ohm | 4.7A | 10V | Oberflächenmontage | 0.043ohm | 1V | 0.043ohm | SOIC | 2W | 8Pin(s) | 2W | 150°C | 2W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMP3056LSD
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2061421 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm DIODES INC.
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1+ 0,778 € 0,93 € 10+ 0,663 € 0,79 € 100+ 0,462 € 0,55 € 500+ 0,365 € 0,43 € 1000+ 0,293 € 0,35 € 5000+ 0,287 € 0,34 € Weitere Preise … |
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p-Kanal | p-Kanal | 30V | 6.9A | 30V | 30V | 6.9A | 0.045ohm | 6.9A | 10V | Oberflächenmontage | 0.045ohm | 1.7V | 0.045ohm | SOIC | 2.5W | 8Pin(s) | 2.5W | 150°C | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS3660S
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2322592 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0013 ohm ONSEMI
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1+ 2,25 € 2,68 € 10+ 1,80 € 2,14 € 100+ 1,44 € 1,71 € 500+ 1,18 € 1,40 € 1000+ 0,987 € 1,17 € |
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n-Kanal | n-Kanal | 30V | 60A | 30V | 30V | 60A | 0.0013ohm | 60A | 10V | Oberflächenmontage | 0.0013ohm | 1.5V | 0.0013ohm | Power 56 | 2.5W | 8Pin(s) | 2.5W | 150°C | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMGD290XN,115
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1758099 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm NEXPERIA
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n-Kanal | n-Kanal | 20V | 200mA | 20V | - | 200mA | 0.29ohm | - | 4.5V | Oberflächenmontage | 0.29ohm | 1V | - | SOT-363 | 410mW | 6Pin(s) | 410mW | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS4935BZ
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1324813 |
Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A ONSEMI
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p-Kanal | p-Kanal | - | 6.9A | 30V | 30V | - | 0.022ohm | 6.9A | 10V | Oberflächenmontage | - | 1.9V | 0.022ohm | SOIC | 1.6W | 8Pin(s) | - | 150°C | 1.6W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS9926A
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1467990 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm ONSEMI
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n-Kanal | n-Kanal | 20V | 6.5A | 20V | - | 6.5A | 0.025ohm | - | 4.5V | Oberflächenmontage | 0.025ohm | 1V | - | SOIC | 2W | 8Pin(s) | 2W | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7509TRPBF
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1611421 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm INFINEON
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Komplementärer n- und p-Kanal | Komplementärer n- und p-Kanal | 30V | 2.7A | 30V | 30V | 2.7A | 0.11ohm | 2.7A | 10V | Oberflächenmontage | 0.11ohm | 1V | 0.11ohm | µSOIC | 1.25W | 8Pin(s) | 1.25W | 150°C | 1.25W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDC7001C
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9844872 |
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm ONSEMI
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Komplementärer n- und p-Kanal | Komplementärer n- und p-Kanal | 50V | 340mA | 50V | 50V | 340mA | 1ohm | 340mA | 10V | Oberflächenmontage | 1ohm | 2.1V | 1ohm | SuperSOT | 700mW | 6Pin(s) | 700mW | 150°C | 700mW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PS,115
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1859846 |
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1 ohm NEXPERIA
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n-Kanal | n-Kanal | 60V | 320mA | 60V | - | 320mA | 1ohm | - | 10V | Oberflächenmontage | 1ohm | 1.75V | - | SOT-363 | 320mW | 6Pin(s) | 320mW | 150°C | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002DWH6327XTSA1
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2443473 |
Dual-MOSFET, BRT, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm INFINEON
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