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DMN1001UCA10-7
Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 3190 µohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN1001UCA10-7
Bestellnummer3405233RL
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,301 € |
| 1000+ | 0,274 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN1001UCA10-7
Bestellnummer3405233RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal12V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal3190µohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal3190µohm
Bauform - TransistorX2-TSN1820
Anzahl der Pins10Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1W
Verlustleistung, p-Kanal1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
12V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
3190µohm
Anzahl der Pins
10Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
3190µohm
Bauform - Transistor
X2-TSN1820
Verlustleistung, n-Kanal
1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
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