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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIS990DN-T1-GE3
Bestellnummer3772843
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 1,060 € |
10+ | 0,709 € |
100+ | 0,538 € |
500+ | 0,413 € |
1000+ | 0,341 € |
5000+ | 0,302 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
1,06 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIS990DN-T1-GE3
Bestellnummer3772843
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal100V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal12.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.071ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.071ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal25W
Verlustleistung, p-Kanal25W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.071ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
25W
Produktpalette
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
12.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.071ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Verlustleistung, n-Kanal
25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung