Seite drucken
BSS138BKS,115
Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
54.243 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,0978 € |
| 500+ | 0,082 € |
| 1500+ | 0,0804 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
14,78 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSS138BKS,115
Bestellnummer2575105RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal320mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal1ohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal280mW
Verlustleistung, p-Kanal280mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell BSS138BKS handelt es sich um einen zweifachen n-Kanal-FET (Anreicherungstyp) in einem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser FET verwendet die Trench MOSFET-Technologie und eignet sich für Relaistreiber, High-Speed-Leitungstreiber sowie Low-Side-Lastschalt- und Schaltanwendungen.
- Logikpegel-kompatibel
- Sehr hohe Schaltfrequenz
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
1ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
280mW
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
1ohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Verlustleistung, n-Kanal
280mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00002
Produktnachverfolgung