120A Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module | Farnell Deutschland

Bei Farnell Deutschland finden Sie eine große Auswahl an 120A Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module. Wir führen eine große Auswahl an Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module, wie zum Beispiel 30A, 31A, 17A & 40A Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module von den weltweit führenden Herstellern, darunter: Onsemi, Diotec & Rohm.

Hersteller

MOSFET-Modul-Konfiguration

Kanaltyp

Dauer-Drainstrom Id

Drain-Source-Spannung Vds

Drain-Source-Durchgangswiderstand

Bauform - Transistor

Anzahl der Pins

Rds(on)-Prüfspannung

Gate-Source-Schwellenspannung, max.

Verlustleistung

Betriebstemperatur, max.

Verpackung

Angewandte(r) Filter

Dauer-Drainstrom Id

:

120A

1 Ausgewählte(r) Filter

Vergleichen					Preiseinheit		Menge

	UJ4SC075006K4S	4221971 Data Sheet RoHS	ONSEMI Siliziumkarbid-MOSFET Eins n-Kanal 120 A 750 V 5.9 mohm TO-247		Stück	1+ 52,76 € 5+ 48,54 € 10+ 46,80 € 50+ 42,92 €	Min.: 1 / Mult.: 1	Eins	n-Kanal	120A	750V	5.9mohm	TO-247	4Pin(s)	12V	6V	714W	175°C
	UF3SC120009K4S	4014251 Data Sheet RoHS	ONSEMI Siliziumkarbid-MOSFET Eins n-Kanal 120 A 1.2 kV 0.0086 ohm TO-247		Stück	1+ 60,13 € 5+ 57,12 € 10+ 57,11 € 50+ 53,79 €	Min.: 1 / Mult.: 1	Eins	n-Kanal	120A	1.2kV	0.0086ohm	TO-247	4Pin(s)	12V	4.7V	789W	175°C
	UF3SC065007K4S	4014249 Data Sheet RoHS	ONSEMI Siliziumkarbid-MOSFET Eins n-Kanal 120 A 650 V 0.0067 ohm TO-247		Stück	1+ 64,28 € 5+ 63,90 € 10+ 63,53 € 50+ 63,15 €	Min.: 1 / Mult.: 1	Eins	n-Kanal	120A	650V	0.0067ohm	TO-247	4Pin(s)	12V	4.7V	789W	175°C
	DIW120SIC022-AQ	4552614 Data Sheet RoHS	DIOTEC Siliziumkarbid-MOSFET Eins n-Kanal 120 A 1.2 kV 0.0223 ohm TO-247		Stück	1+ 196,78 € 5+ 175,32 € 10+ 153,85 € 50+ 150,77 €	Min.: 1 / Mult.: 1	Eins	n-Kanal	120A	1.2kV	0.0223ohm	TO-247	3Pin(s)	18V	4V	340W	175°C
	DIF120SIC022	4552616 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIOTEC Siliziumkarbid-MOSFET Eins n-Kanal 120 A 1.2 kV 0.0223 ohm TO-247		Stück	1+ 86,13 € 5+ 76,74 € 10+ 67,34 € 50+ 65,99 € 100+ 64,65 €	Min.: 1 / Mult.: 1	Eins	n-Kanal	120A	1.2kV	0.0223ohm	TO-247	4Pin(s)	18V	4V	340W	175°C
	DIF120SIC022-AQ	4552613 Data Sheet RoHS	DIOTEC Siliziumkarbid-MOSFET Eins n-Kanal 120 A 1.2 kV 0.0223 ohm TO-247		Stück	1+ 196,79 € 5+ 175,32 € 10+ 153,85 € 50+ 150,77 €	Min.: 1 / Mult.: 1	Eins	n-Kanal	120A	1.2kV	0.0223ohm	TO-247	4Pin(s)	18V	4V	340W	175°C
	BSM120D12P2C005	2345472 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ROHM Bipolarer Einzeltransistor (BJT) Siliziumkarbid n-Kanal 120A 1.2kV 2.7V		Stück	1+ 350,97 € 5+ 343,95 €	Min.: 1 / Mult.: 1	Halbbrücke	n-Kanal	120A	1.2kV	-ohm	Modul	10Pin(s)	-V	2.7V	780W	150°C
	UJ4SC075005L8S	4221985 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ONSEMI Siliziumkarbid-MOSFET Eins n-Kanal 120 A 750 V 5.4 mohm MO-299		Stück	2000+ 30,21 €	Min.: 2000 / Mult.: 2000	Eins	n-Kanal	120A	750V	5.4mohm	MO-299	8Pin(s)	12V	6V	1.153kW	175°C

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