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UJ4SC075006K4S
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 52,760 € |
| 5+ | 48,540 € |
| 10+ | 46,800 € |
| 50+ | 42,920 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerUJ4SC075006K4S
Bestellnummer4221971
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id120A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand5.9mohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung12V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6V
Verlustleistung714W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
120A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
5.9mohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
12V
Verlustleistung
714W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.008236