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DIF120SIC022-AQ
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 196,790 € |
| 5+ | 175,320 € |
| 10+ | 153,850 € |
| 50+ | 150,770 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIOTEC
HerstellerteilenummerDIF120SIC022-AQ
Bestellnummer4552613
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id120A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0223ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung340W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
120A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0223ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
340W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005167