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BSM120D12P2C005
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Siliziumkarbid, n-Kanal, 120A, 1.2kV, 2.7V
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerBSM120D12P2C005
Bestellnummer2345472
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id120A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand-ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins10Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung-V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.7V
Verlustleistung780W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
The BSM120D12P2C005 is a N-channel SiC Power Module designed for use with inverter, converter, photovoltaic, wind power generation and induction heating equipment applications. The device offers low surge, low switching loss and high-speed switching possible, reduced temperature dependence.
Anwendungen
Industrie, Motorantrieb & -steuerung, Alternative Energien, Power-Management, Medizinelektronik
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
120A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
-ohm
Anzahl der Pins
10Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.7V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
-V
Verlustleistung
780W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85359000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.279413
Produktnachverfolgung