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SUM110P06-07L-E3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 800+ | 1,770 € |
| 2400+ | 1,760 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 800
Mehrere: 800
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUM110P06-07L-E3
Bestellnummer4320169
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id110A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0055ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung3.75W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
110A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.75W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0055ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SUM110P06-07L-E3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002474
Produktnachverfolgung