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SUM110P06-07L-E3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUM110P06-07L-E3
Bestellnummer1838993RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id110A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0055ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung3.75W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Der SUM110P06-07L-E3 ist ein p-Kanal-Leistungs-MOSFET in TrenchFET®-Technologie mit einer Betriebstemperatur von 175°C.
- Gate-Source-Spannung: ± 20V
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 40°C/W
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse: 0.4°C/W
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
110A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.75W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0055ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SUM110P06-07L-E3
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002474
Produktnachverfolgung