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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJB44EP-T1_GE3
Bestellnummer4246812RL
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,875 € |
500+ | 0,696 € |
1000+ | 0,648 € |
5000+ | 0,597 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJB44EP-T1_GE3
Bestellnummer4246812RL
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0041ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorPowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal48W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0041ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO-8L
Verlustleistung, n-Kanal
48W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000074
Produktnachverfolgung