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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJ200EP-T1_JE3
Bestellnummer4472932RL
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 1,540 € |
500+ | 1,310 € |
1500+ | 1,220 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQJ200EP-T1_JE3
Bestellnummer4472932RL
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0037ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorPowerPAK SO
Anzahl der Pins4Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal48W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
TrenchFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0037ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Verlustleistung, n-Kanal
48W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung