Seite drucken
SIZF906BDT-T1-GE3
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIZF906BDT-T1-GE3
Bestellnummer3650266RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 17 Woche(n)
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,020 € |
| 500+ | 0,949 € |
| 1000+ | 0,877 € |
| 5000+ | 0,774 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
107,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIZF906BDT-T1-GE3
Bestellnummer3650266RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.00045ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.00045ohm
Bauform - TransistorPowerPAIR
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal83W
Verlustleistung, p-Kanal83W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Qualifikation-
MSLMSL 2 - 1 Jahr
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.00045ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
83W
Produktpalette
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 2 - 1 Jahr
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.00045ohm
Bauform - Transistor
PowerPAIR
Verlustleistung, n-Kanal
83W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
Produktnachverfolgung