Seite drucken
SISF20DN-T1-GE3
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 52 A, 52 A, 0.01 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISF20DN-T1-GE3
Bestellnummer3050578RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 27 Woche(n)
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,100 € |
| 500+ | 0,919 € |
| 1000+ | 0,899 € |
| 5000+ | 0,786 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
115,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISF20DN-T1-GE3
Bestellnummer3050578RL
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id52A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal52A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.01ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.01ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal69.4W
Verlustleistung, p-Kanal69.4W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id
52A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.01ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
69.4W
Produktpalette
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.01ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Verlustleistung, n-Kanal
69.4W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0011
Produktnachverfolgung