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SIS932EDN-T1-GE3
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,381 € |
| 10+ | 0,322 € |
| 100+ | 0,258 € |
| 500+ | 0,210 € |
| 1000+ | 0,174 € |
| 5000+ | 0,171 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIS932EDN-T1-GE3
Bestellnummer2846633
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.018ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.018ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal23W
Verlustleistung, p-Kanal23W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.018ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
23W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.018ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Verlustleistung, n-Kanal
23W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000074
Produktnachverfolgung