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SI7949DP-T1-E3
Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7949DP-T1-E3
Bestellnummer2101481RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.051ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.051ohm
Bauform - TransistorPowerPAK
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.5W
Verlustleistung, p-Kanal1.5W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
SI7949DP-T1-E3 ist ein zweifacher p-Kanal-MOSFET in einem SMD-Gehäuse.
- TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
- Neues PowerPAK®-Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und flacher Bauweise (nur 1.07mm hoch)
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.051ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.5W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.051ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK
Verlustleistung, n-Kanal
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI7949DP-T1-E3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000635
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