Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
26.399 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 2,570 € |
10+ | 1,760 € |
100+ | 1,240 € |
500+ | 0,950 € |
1000+ | 0,875 € |
5000+ | 0,791 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
2,57 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI7252DP-T1-GE3
Bestellnummer2364060
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal100V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal36.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal36.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.014ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.014ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal46W
Verlustleistung, p-Kanal46W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Dieser zweifache n-Kanal-MOSFET (100V (D-S)) eignet sich für folgende Anwendungen: primärseitige Schaltanwendungen, Synchrongleichrichtung und DC/AC-Wechselrichter.
- TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
- 100% Rg-getestet
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
36.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.014ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
46W
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
36.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.014ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Verlustleistung, n-Kanal
46W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI7252DP-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung