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UF3C065080K4S
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 5,770 € |
| 5+ | 5,360 € |
| 10+ | 4,950 € |
| 50+ | 4,540 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerUF3C065080K4S
Bestellnummer4014239
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id31A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung12V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung190W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
31A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
12V
Verlustleistung
190W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0063