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TP65H035G4WSQA
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H035G4WSQA
Bestellnummer4371964
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 18,910 € |
| 5+ | 18,570 € |
| 10+ | 18,230 € |
| 50+ | 16,220 € |
| 100+ | 14,220 € |
| 250+ | 12,210 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
18,91 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerTP65H035G4WSQA
Bestellnummer4371964
ProduktpaletteSuperGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id47.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.041ohm
Gate-Ladung, typ.22nC
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
ProduktpaletteSuperGaN Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.041ohm
Bauform - Transistor
TO-247
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
AEC-Q101
Dauer-Drainstrom Id
47.2A
Gate-Ladung, typ.
22nC
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.24