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SSM6L61NU,LF(T
Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,586 € |
| 9000+ | 0,428 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
1.758,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM6L61NU,LF(T
Bestellnummer4320132
Technisches Datenblatt
Kanaltypn- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.025ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.025ohm
Bauform - TransistorUDFN
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1W
Verlustleistung, p-Kanal1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.025ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1W
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.025ohm
Bauform - Transistor
UDFN
Verlustleistung, n-Kanal
1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000145
Produktnachverfolgung