Seite drucken
CSD85301Q2T
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.023 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 54 Woche(n)
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,706 € |
| 500+ | 0,658 € |
| 1000+ | 0,611 € |
| 5000+ | 0,563 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
75,60 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerTEXAS INSTRUMENTS
HerstellerteilenummerCSD85301Q2T
Bestellnummer3009682RL
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.023ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.023ohm
Bauform - TransistorWSON
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2.3W
Verlustleistung, p-Kanal2.3W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
The CSD85301Q2T is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source ON-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.
- Low ON-resistance
- Optimized for 5V gate driver
- Avalanche rated
- Halogen-free
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.023ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2.3W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.023ohm
Bauform - Transistor
WSON
Verlustleistung, n-Kanal
2.3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00006
Produktnachverfolgung