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HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerTSM220NB06CR RLG
Bestellnummer3773041RL
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
100+ | 0,444 € |
500+ | 0,392 € |
1000+ | 0,339 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerTSM220NB06CR RLG
Bestellnummer3773041RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.019ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.019ohm
Bauform - TransistorPDFN56
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.3V
Verlustleistung68W
Verlustleistung Pd68W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.019ohm
Bauform - Transistor
PDFN56
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
68W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.019ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.3V
Verlustleistung Pd
68W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung