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TSM220NB06CR RLG
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerTSM220NB06CR RLG
Bestellnummer3773041
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,772 € |
| 10+ | 0,644 € |
| 100+ | 0,444 € |
| 500+ | 0,392 € |
| 1000+ | 0,339 € |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerTSM220NB06CR RLG
Bestellnummer3773041
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.019ohm
Bauform - TransistorPDFN56
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.3V
Verlustleistung68W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Bauform - Transistor
PDFN56
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
68W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.019ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung