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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSH32N65DM6AG
Bestellnummer4217873RL
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
10+ | 14,410 € |
50+ | 13,440 € |
100+ | 12,460 € |
250+ | 12,350 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSH32N65DM6AG
Bestellnummer4217873RL
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal650V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal32A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.089ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorACEPACK SMIT
Anzahl der Pins9Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal208W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
9Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
650V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.089ohm
Bauform - Transistor
ACEPACK SMIT
Verlustleistung, n-Kanal
208W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000082
Produktnachverfolgung