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GD100HFU120C2S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Modul
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 64,540 € |
| 5+ | 60,930 € |
| 10+ | 56,880 € |
| 50+ | 56,030 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD100HFU120C2S
Bestellnummer3912072
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauer-Kollektorstrom200A
DC-Kollektorstrom200A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)3.1V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung3.1V
Verlustleistung1.136kW
Verlustleistung Pd1.136kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieNPT IGBT [Standard]
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
200A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
3.1V
Verlustleistung Pd
1.136kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Dauer-Kollektorstrom
200A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
3.1V
Verlustleistung
1.136kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
IGBT-Technologie
NPT IGBT [Standard]
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.3