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QS6J11TR
Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 12 V, 2 A
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,206 € |
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Minimum: 3000
Mehrere: 3000
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerQS6J11TR
Bestellnummer4202942RL
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal-
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.105ohm
Bauform - TransistorSOT-457T
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal-
Verlustleistung, p-Kanal1.25W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
12V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.105ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.25W
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
-
Bauform - Transistor
SOT-457T
Verlustleistung, n-Kanal
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung