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HP8K24TB
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 27 A, 27 A, 0.0067 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 2500+ | 0,570 € |
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Minimum: 2500
Mehrere: 2500
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerHP8K24TB
Bestellnummer2706746RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal27A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0067ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0067ohm
Bauform - TransistorHSOP
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal3W
Verlustleistung, p-Kanal3W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0067ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
3W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0067ohm
Bauform - Transistor
HSOP
Verlustleistung, n-Kanal
3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005577