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EM6K34T2CR
Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
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| 50+ | 0,265 € |
| 250+ | 0,167 € |
| 1000+ | 0,0998 € |
| 4000+ | 0,0978 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerEM6K34T2CR
Bestellnummer2706588
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal50V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal200mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1.6ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal1.6ohm
Bauform - TransistorSOT-563
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal150mW
Verlustleistung, p-Kanal150mW
Betriebstemperatur, max.-
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
50V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
1.6ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
150mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
1.6ohm
Bauform - Transistor
SOT-563
Verlustleistung, n-Kanal
150mW
Betriebstemperatur, max.
-
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000003
Produktnachverfolgung