Seite drucken
NTZD3154NT1G
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 22 Woche(n)
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 4000+ | 0,0674 € |
| 12000+ | 0,0665 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 4000
Mehrere: 4000
269,60 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTZD3154NT1G
Bestellnummer2442271
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal540mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.4ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.4ohm
Bauform - TransistorSOT-563
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal250mW
Verlustleistung, p-Kanal250mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The NTZD3154NT1G is a dual N-channel small signal MOSFET designed for cell phones, digital cameras, PDAs and pagers etc. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits and battery management applications.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- Small footprint
- ESD protected gate
- Halogen-free
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.4ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
250mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.4ohm
Bauform - Transistor
SOT-563
Verlustleistung, n-Kanal
250mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für NTZD3154NT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454
Produktnachverfolgung