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NTHD3100CT1G
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTHD3100CT1G
Bestellnummer2442215
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.064ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.064ohm
Bauform - TransistorChipFET
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.1W
Verlustleistung, p-Kanal1.1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The NTHD3100CT1G is a N/P-channel Complementary MOSFET ideal for portable battery powered products. The device is designed for DC-to DC conversion circuits, load switch applications requiring level shift and drive small brushless DC motor applications.
- Small size
- 40% Smaller then TSOP-6 package
- Trench P-channel for low ON-resistance
- Low gate charge N-channel for test switching
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Tragbare Geräte, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.064ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.1W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.064ohm
Bauform - Transistor
ChipFET
Verlustleistung, n-Kanal
1.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung