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MMBFJ309LT1G
JFET-Transistor, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 9000+ | 0,0901 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFJ309LT1G
Bestellnummer2442050
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.30mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.12mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-4V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistortypJFET
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
12mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistortyp
JFET
Kanaltyp
n-Kanal
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
30mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-4V
Anzahl der Pins
3 Pins
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMBFJ309LT1G
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung