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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFJ309LT1G
Bestellnummer1431339
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.30mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.12mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-4V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistortypJFET
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBFJ309LT1G ist ein n-Kanal-JFET, der für Hochfrequenzverstärker und Oszillatoren entwickelt wurde. Drain und Source sind austauschbar, das platzsparende Gehäuse ist zur Oberflächenmontage ausgelegt. Der niedrige RDS(ON) sorgt für einen höheren Wirkungsgrad und verlängert die Batterielebensdauer.
- Drain-Source-Spannung: 25V DC
- Gate-Source-Spannung: 25V DC
- Gate-Strom: 10mA
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
12mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistortyp
JFET
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
30mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-4V
Anzahl der Pins
3 Pins
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMBFJ309LT1G
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001058
Produktnachverfolgung