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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFJ177LT1G
Bestellnummer2442049
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.-20mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.-1.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.2.5V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistortypJFET
Kanaltypp-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MMBFJ177LT1G is a P-channel JFET designed for analogue switching and chopper applications. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
- -25V Drain-gate voltage
- 25V Gate-source voltage
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
-1.5mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Kanaltyp
p-Kanal
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
-20mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Transistortyp
JFET
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung