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MMBFJ177LT1G
JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 50+ | 0,250 € |
| 100+ | 0,178 € |
| 500+ | 0,147 € |
| 1500+ | 0,116 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFJ177LT1G
Bestellnummer1431338
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.-20mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.2.5V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypp-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBFJ177LT1G ist ein p-Kanal-JFET für analoge Schalt- und Chopper-Anwendungen. Dieser Baustein bietet einen niedrigen RDS(ON), der für einen höheren Wirkungsgrad und eine längere Batterielebensdauer sorgt. Er verfügt über eine kompaktes SMD-Gehäuse, das Platzeinsparungen auf der Leiterplatte ermöglicht.
- Drain-Gate-Spannung: -25V
- Gate/Source-Spannung: 25V
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
30V
Gate-Source-Sperrspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3 Pins
Kanaltyp
p-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
-20mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung