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MMBFJ175LT1G
JFET-Transistor, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFJ175LT1G
Bestellnummer2442048
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.60mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.7mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.6V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistortypJFET
Betriebstemperatur, max.150°C
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
7mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistortyp
JFET
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
60mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
6V
Anzahl der Pins
3 Pins
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMBFJ175LT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung