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MMBFJ175LT1G
JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,438 € |
| 50+ | 0,270 € |
| 100+ | 0,156 € |
| 500+ | 0,140 € |
| 1500+ | 0,126 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFJ175LT1G
Bestellnummer1431337
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.60mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.7mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.6V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistortypJFET
Kanaltypp-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
7mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Kanaltyp
p-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
60mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
6V
Anzahl der Pins
3 Pins
Transistortyp
JFET
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000045
Produktnachverfolgung