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FDS8935
Dual-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 80 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.148 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDS8935
Bestellnummer2083351RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal80V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal2.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.148ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.148ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal3.1W
Verlustleistung, p-Kanal3.1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Produktbeschreibung
FDS8935 ist ein zweifacher p-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Dieser Baustein wurde optimiert in Bezug auf RDS(ON), Schaltleistung und Robustheit. Er eignet sich zur Verwendung mit Lastschalt- und Synchrongleichrichtungsanwendungen.
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit in einem gängigen SMD-Gehäuse
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Dauer-Drainstrom: -2.1A
- Gepulster Drainstrom: -10A
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
80V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.148ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
3.1W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.148ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
3.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000117
Produktnachverfolgung