FDS6875
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,698 € |
| 500+ | 0,607 € |
| 1000+ | 0,594 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
FDS6875 ist ein zweifacher p-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench™-Verfahrens hergestellt wird. Dieses Verfahren wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung beizubehalten und so eine herausragende Schaltleistung zu erreichen. Der Baustein eignet sich gut für tragbare Elektronik wie Lastschalt-, Akkulade- und Schutzschaltungsanwendungen.
- Niedrige Gate-Ladung
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
- Gate/Source-Spannung: ± 8V
- Dauer-Drainstrom: -6A
- Gepulster Drainstrom: -20A
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
p-Kanal
20V
6A
0.024ohm
8Pin(s)
2W
-
MSL 1 - unbegrenzt
-
-
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SOIC
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150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (4)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat