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NVMFD5C668NLT1G
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0054 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,760 € |
| 500+ | 1,610 € |
| 1000+ | 1,540 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFD5C668NLT1G
Bestellnummer2895719RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal68A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0054ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0054ohm
Bauform - TransistorDFN
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal57.5W
Verlustleistung, p-Kanal57.5W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0054ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
57.5W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0054ohm
Bauform - Transistor
DFN
Verlustleistung, n-Kanal
57.5W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung