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NVMFD5C462NT1G
Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 70 A, 70 A, 0.0045 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1500+ | 0,997 € |
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Minimum: 1500
Mehrere: 1500
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFD5C462NT1G
Bestellnummer2895724RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal70A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0045ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0045ohm
Bauform - TransistorDFN
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal50W
Verlustleistung, p-Kanal50W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0045ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
50W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0045ohm
Bauform - Transistor
DFN
Verlustleistung, n-Kanal
50W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung