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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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1000+ | 0,0788 € |
5000+ | 0,0589 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVJD5121NT1G
Bestellnummer2724461RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal295mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal1ohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal250mW
Verlustleistung, p-Kanal250mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
1ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
250mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
1ohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Verlustleistung, n-Kanal
250mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000025
Produktnachverfolgung