FDS9926A
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,880 € |
| 50+ | 0,553 € |
| 100+ | 0,410 € |
| 500+ | 0,339 € |
| 1000+ | 0,307 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell FDS9926A handelt es sich um einen für 2.5V ausgelegten, zweifachen 20V-n-Kanal-PowerTrench®-MOSFET, der speziell entwickelt wurde, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung zu erhalten für eine hervorragende Schaltleistung. Der Leistungs-MOSFET für den mittleren Spannungsbereich ist ein optimierter Leistungsschalter, der eine niedrige Gate-Ladung (QG), eine geringe Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Reverse-Recovery-Body-Diode kombiniert, wodurch ein schnelles Schalten für die Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen gewährleistet wird. Er verfügt über eine Shielded-Gate-Struktur, die für Ladungsausgleich sorgt. Dank dieser fortschrittlichen Technologie ist die Gütezahl (FOM (QGxRDS(ON))) dieses Bausteins um 66% niedriger im Vergleich zur vorherigen Generation. Durch die Leistung der Soft-Recovery-Body-Diode des neuen PowerTrench®-MOSFET können unerwünschte Spannungsspitzen in Synchrongleichrichtungsanwendungen minimiert werden. Dieses Produkt eignet sich für den universellen Einsatz in vielen verschiedenen Anwendungen.
- Optimiert für die Verwendung in Batterie-/Akkuschutzschaltungen
Technische Spezifikationen
n-Kanal
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8Pin(s)
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20V
6.5A
0.025ohm
SOIC
2W
150°C
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No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat