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FDS4935A
Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
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|---|---|
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| 7500+ | 0,408 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDS4935A
Bestellnummer2438451
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal-
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.023ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal-
Verlustleistung, p-Kanal1.6W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FDS4935A ist ein zweifacher p-Kanal-PowerTrench®-MOSFET, der mithilfe einer robusten Gate-Version des fortschrittlichen PowerTrench-Verfahrens hergestellt wird. Dieser MOSFET wurde optimiert für Power-Management-Anwendungen mit einem großen Gate-Treiberspannungsbereich (4.5V bis 20V). Er eignet sich für den Einsatz in Lastschalt- und Batterie-/Akkuschutzanwendungen.
- Hohe Schaltfrequenz
- Niedrige Gate-Ladung
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Dauer-Drainstrom: -7A
- Gepulster Drainstrom: -30A
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.023ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.6W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
-
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
-
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000221
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