FDMQ8203
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 6 A, 6 A, 0.085 ohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,978 € |
| 500+ | 0,778 € |
| 1000+ | 0,720 € |
| 5000+ | 0,635 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The FDMQ8203 is a 100V Dual N-channel and Dual P-channel PowerTrench® MOSFET, GreenBridge™ series of high-efficiency bridge rectifiers provides ten-fold improvement in power dissipation over diode bridge. Used in bridge rectifier applications. Specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. The latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification.
Hinweise
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Technische Spezifikationen
Komplementärer n- und p-Kanal
100V
6A
0.085ohm
12Pin(s)
22W
-
MSL 1 - unbegrenzt
100V
6A
0.085ohm
MLP
22W
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat