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FDC6333C..

Name: ONSEMI FDC6333C..
Brand: ONSEMI
SKU: 1700671RL
Availability: InStock

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerFDC6333C..

Bestellnummer1700671RL

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Produktspezifikationen

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerFDC6333C..

Bestellnummer1700671RL

Technisches Datenblatt

Data Sheet

KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V

Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V

Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal2.5A

Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal2.5A

Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.095ohm

Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.095ohm

Bauform - TransistorSuperSOT

Anzahl der Pins6Pin(s)

Verlustleistung, n-Kanal960mW

Verlustleistung, p-Kanal960mW

Betriebstemperatur, max.150°C

Produktpalette-

Qualifikation-

MSL-

SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Produktbeschreibung

FDC6333C ist ein n/p-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Diese Technologie ist speziell darauf ausgelegt, den Durchgangswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Dieser Baustein bietet eine herausragende Verlustleistung in einem sehr kompakten Gehäuse und eignet sich für Anwendungen, in denen größere und teurere Gehäuse unpraktisch sind. Er eignet sich für die Verwendung mit DC/DC-Wandlern sowie Lastschalt- und LCD-Display-Inverter-Anwendungen.

Niedrige Gate-Ladung
Kompakte Abmessungen
Geringe Bauhöhe
Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)

Anwendungen

Industrie, Power-Management

Technische Spezifikationen

Kanaltyp

Komplementärer n- und p-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal

30V

Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal

2.5A

Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal

0.095ohm

Anzahl der Pins

6Pin(s)

Verlustleistung, p-Kanal

960mW

Produktpalette

MSL

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal

30V

Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal

2.5A

Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal

0.095ohm

Bauform - Transistor

SuperSOT

Verlustleistung, n-Kanal

960mW

Betriebstemperatur, max.

150°C

Qualifikation

SVHC

No SVHC (27-Jun-2024)

Technische Dokumente (1)

Technical Data Sheet EN

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.002

Produktnachverfolgung