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FDC606P
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,858 € |
| 50+ | 0,624 € |
| 100+ | 0,425 € |
| 500+ | 0,355 € |
| 1500+ | 0,336 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDC606P
Bestellnummer1495224
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.026ohm
Bauform - TransistorSuperSOT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.500mV
Verlustleistung1.6W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FDC606P ist ein 1.8V spezifizierter p-Kanal-MOSFET, der das Niederspannungs-PowerTrench®-Verfahren nutzt. Dieser Baustein wurde optimiert für Batterie/Akku-Power-Management-, Lastschalt- und Batterie-/Akkuschutzanwendungen.
- Hohe Schaltfrequenz
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6A
Bauform - Transistor
SuperSOT
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.026ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
500mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000318
Produktnachverfolgung