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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBSS138LT1G
Bestellnummer2317879
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds50V
Dauer-Drainstrom Id200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand3.5ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung225mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell BSS138LT1G handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET zur Verwendung in DC/DC-Wandlern und zum Power-Management in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Druckern, PCMCIA-Karten, Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen.
- Niedrige Schwellenspannung VGS (th) = 0.5 bis 1.5V
- Miniatur-SOT-23-Gehäuse zur Oberflächenmontage spart Platz auf der Leiterplatte
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Tragbare Geräte, Unterhaltungselektronik, Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
200mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
225mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
50V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
3.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BSS138LT1G
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000029
Produktnachverfolgung