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BSS138LT1G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 50+ | 0,130 € |
| 100+ | 0,0695 € |
| 500+ | 0,0656 € |
| 1500+ | 0,0616 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBSS138LT1G
Bestellnummer1431319
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds50V
Dauer-Drainstrom Id200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand3.5ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung225mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell BSS138LT1G von On Semiconductor handelt es sich um einen 50V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET in SOT-23-Bauform zur Oberflächenmontage. Dieser MOSFET bietet eine niedrige Schwellenspannung und eignet sich hervorragend für Niederspannungsanwendungen. Typische Anwendungen umfassen DC/DC-Wandler, das Power-Management in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Computern, Druckern, PCMCIA-Karten, Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen.
- Drain/Source-Spannung (Vds): 50V
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Dauer-Drainstrom (Id): 200mA
- Verlustleistung (pd): 225mW
- Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C
- Geringer Durchlasswiderstand bei Vgs = 5V: 3.5 Ohm
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
200mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
225mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
50V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
3.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
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