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PMDPB85UPE,115
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,150 € |
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Mehrere: 3000
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMDPB85UPE,115
Bestellnummer3940634
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal-
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.103ohm
Bauform - TransistorDFN2020
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal-
Verlustleistung, p-Kanal1.17W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.103ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.17W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
-
Bauform - Transistor
DFN2020
Verlustleistung, n-Kanal
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000007
Produktnachverfolgung